Logo

Tìm kiếm: DRAM

Micron Cách Mạng Bộ Nhớ HBM: HBM4e Tùy Chỉnh Đột Phá Công Nghệ!
Micron Cách Mạng Bộ Nhớ HBM: HBM4e Tùy Chỉnh Đột Phá Công Nghệ!

Micron vừa công bố thông tin cập nhật cực kỳ ấn tượng về chương trình HBM4 và HBM4e của mình, hứa hẹn một cuộc cách mạng trong lĩnh vực bộ nhớ. HBM4 thế hệ tiếp theo, với giao diện 2048-bit, dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào năm 2026. Nhưng điểm nhấn thực sự nằm ở HBM4e!

Tác giả: Tuấn Anh Tuấn Anh
344
Mỹ Thắt Chặt Kiểm Soát Xuất Khẩu Công Nghệ Bán Dẫn, Nhắm Trúng Trung Quốc Nhưng Ít Nghiêm Khắc Hơn Dự Kiến
Mỹ Thắt Chặt Kiểm Soát Xuất Khẩu Công Nghệ Bán Dẫn, Nhắm Trúng Trung Quốc Nhưng Ít Nghiêm Khắc Hơn Dự Kiến

Chính quyền Biden sắp ban hành các quy định mới nhằm kiềm chế sự phát triển công nghệ bán dẫn của Trung Quốc. Tuy nhiên, các biện pháp trừng phạt này sẽ nhẹ nhàng hơn so với dự đoán ban đầu.

Tác giả: Phong Lâm Phong Lâm
747
Nhà sản xuất bộ nhớ Trung Quốc Changxin Memory Technologies giới thiệu bộ nhớ LPDDR5 đầu tiên và hai sản phẩm mới sử dụng công nghệ này.
Nhà sản xuất bộ nhớ Trung Quốc Changxin Memory Technologies giới thiệu bộ nhớ LPDDR5 đầu tiên và hai sản phẩm mới sử dụng công nghệ này.

Changxin Memory Technologies (CXMT), một nhà sản xuất thiết bị tích hợp bán dẫn của Trung Quốc, đã giới thiệu các thiết bị bộ nhớ LPDDR5 đầu tiên của mình và hai sản phẩm mới sử dụng công nghệ này. Các DRAM mới là IC bộ nhớ LPDDR5 đầu tiên được sản xuất bởi một công ty Trung Quốc. Chúng nhằm vào các điện thoại thông minh giá rẻ và các thiết bị công suất thấp khác, một bước tiến quan trọng khi đất nước tìm cách mở rộng khả năng sản xuất chip của mình.

Tác giả: Hương Trang Hương Trang
3723
SK hynix Phát Triển Bộ Nhớ DRAM Mới Với Tốc Độ Cao Và Chi Phí Thấp
SK hynix Phát Triển Bộ Nhớ DRAM Mới Với Tốc Độ Cao Và Chi Phí Thấp

SK hynix, một trong những nhà sản xuất chip nhớ lớn nhất thế giới, đang phát triển một loại bộ nhớ DRAM mới kết hợp giữa băng thông rộng và chi phí thấp hơn so với các giải pháp HBM hiện tại. Loại bộ nhớ mới này sẽ sử dụng công nghệ đóng gói 2.5D fan-out và có thể được sử dụng cho các ứng dụng đồ họa hoặc di động.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
3625
SK hynix chiếm lĩnh 35% thị phần DRAM nhờ nhu cầu bùng nổ của AI
SK hynix chiếm lĩnh 35% thị phần DRAM nhờ nhu cầu bùng nổ của AI

Ngành công nghiệp DRAM đang chứng kiến sự tăng trưởng mạnh mẽ nhờ nhu cầu ngày càng tăng về phần cứng AI, vốn tiêu tốn một lượng bộ nhớ tương đối lớn. SK hynix dường như đã đạt được thành công đáng kể trong môi trường mới này, đạt mức cao nhất mọi thời đại về thị phần.

Tác giả: Mai Ngọc Mai Ngọc
2887
Silicon Motion SM2508: Bộ điều khiển SSD PCIe 5.0 mạnh mẽ và tiết kiệm điện nhất từ trước đến nay
Silicon Motion SM2508: Bộ điều khiển SSD PCIe 5.0 mạnh mẽ và tiết kiệm điện nhất từ trước đến nay

Silicon Motion đã chính thức xác nhận bộ điều khiển SSD PCIe 5.0 sắp ra mắt sử dụng quy trình sản xuất EUV 6nm của TSMC, mang lại hiệu suất cao và tiết kiệm điện năng đáng kể so với các đối thủ cạnh tranh như Phison E26 và Innogrit IG5666.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
2398
SK Hynix bắt đầu sản xuất LPPDR5T DRAM cho điện thoại thông minh, hứa hẹn tăng hiệu suất đáng kể
SK Hynix bắt đầu sản xuất LPPDR5T DRAM cho điện thoại thông minh, hứa hẹn tăng hiệu suất đáng kể

SK Hynix, một trong những nhà sản xuất chip nhớ DRAM hàng đầu thế giới, vừa thông báo bắt đầu sản xuất hàng loạt chip DRAM LPPDR5T thế hệ mới dành cho điện thoại thông minh. Chip nhớ mới này hứa hẹn mang lại hiệu suất đáng kể so với các thế hệ trước, với tốc độ truyền dữ liệu lên tới 9.600 MT/s và băng thông tối đa đạt 76,8 GB/s.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
3735
SK hynix tung ra DRAM LPDDR5T siêu tốc độ, mở ra kỷ nguyên mới cho hiệu suất điện thoại thông minh
SK hynix tung ra DRAM LPDDR5T siêu tốc độ, mở ra kỷ nguyên mới cho hiệu suất điện thoại thông minh

SK hynix, một trong những nhà cung cấp chất bán dẫn và DRAM hàng đầu thế giới, vừa chính thức giới thiệu LPDDR5T, thế hệ DRAM di động mới nhất với tốc độ truyền dữ liệu lên tới 9.6 gigabits mỗi giây trên mỗi chân, vượt trội so với 8.5 gigabits mỗi giây trên mỗi chân của LPDDR5X. Điều này đánh dấu một bước tiến vượt bậc trong hiệu suất bộ nhớ điện thoại thông minh, cho phép các thiết bị xử lý dữ liệu nhanh hơn, mượt mà hơn và hỗ trợ các ứng dụng AI đòi hỏi khắt khe hơn.

Tác giả: Huyền Ngọc Huyền Ngọc
2507
Bộ trưởng Thương mại Trung Quốc gặp gỡ CEO Micron, thể hiện sự ủng hộ mở rộng hoạt động tại Trung Quốc
Bộ trưởng Thương mại Trung Quốc gặp gỡ CEO Micron, thể hiện sự ủng hộ mở rộng hoạt động tại Trung Quốc

Bộ trưởng Thương mại Trung Quốc Vương Văn Tháo đã có cuộc gặp với Sanjay Mehrotra, Giám đốc điều hành của Micron, bày tỏ sự ủng hộ đối với kế hoạch mở rộng hoạt động của công ty tại Trung Quốc. Tuy nhiên, hiện chưa có thông tin liệu Trung Quốc có dỡ bỏ lệnh cấm đối với các thiết bị nhớ của Micron được sử dụng cho PC của các cơ quan do nhà nước kiểm soát và cơ sở hạ tầng quan trọng hay không.

Tác giả: Linh Hương Linh Hương
2572
Changxin Xinqiao Memory Technologies huy động được 39 tỷ nhân dân tệ (5,4 tỷ USD) để xây dựng nhà máy sản xuất DRAM
Changxin Xinqiao Memory Technologies huy động được 39 tỷ nhân dân tệ (5,4 tỷ USD) để xây dựng nhà máy sản xuất DRAM

Tuần trước, chúng tôi đã đưa tin Changxin Xinqiao đã nhận được 14,56 tỷ nhân dân tệ (khoảng 1,99 tỷ USD) từ Quỹ đầu tư ngành công nghiệp mạch tích hợp Trung Quốc (Big Fund). Hôm nay, Bloomberg cho biết công ty này thực sự đã huy động được nhiều tiền hơn đáng kể, cho thấy chính phủ Trung Quốc tiếp tục đầu tư vào sản xuất bộ nhớ thương mại, bất chấp các biện pháp trừng phạt của Mỹ đối với ngành công nghiệp bán dẫn của nước này.

Tác giả: Linh Hương Linh Hương
2276
Quỹ đầu tư ngành công nghiệp mạch tích hợp Trung Quốc (Big Fund) đầu tư 1,99 tỷ USD vào nhà sản xuất DRAM mới của Trung Quốc
Quỹ đầu tư ngành công nghiệp mạch tích hợp Trung Quốc (Big Fund) đầu tư 1,99 tỷ USD vào nhà sản xuất DRAM mới của Trung Quốc

Quỹ đầu tư ngành công nghiệp mạch tích hợp Trung Quốc (Big Fund) đã đầu tư khoảng 14,56 tỷ yuan (tương đương 1,99 tỷ USD) vào Changxin Xinqiao, một nhà sản xuất DRAM mới của Trung Quốc, theo Reuters. Công ty được quản lý bởi Zhao Lun, người cũng là tổng giám đốc của Changxin Memory Technologies (CXMT), vì vậy hai công ty có thể có liên kết với nhau.

Tác giả: Hương Trang Hương Trang
2327
Thông số kỹ thuật của NVIDIA GeForce RTX 4080 Super, 4070 Ti Super và 4070 Super được tiết lộ
Thông số kỹ thuật của NVIDIA GeForce RTX 4080 Super, 4070 Ti Super và 4070 Super được tiết lộ

Theo leaker Kopite7kimi, NVIDIA GeForce RTX 4080 Super sẽ sử dụng GPU AD103-400 với đầy đủ 10240 nhân CUDA, 320 TMU, 112 ROP và 64MB bộ nhớ cache L2. Chip sẽ sử dụng giao diện bus 256-bit, có thể đi kèm với bộ nhớ 16GB GDDR6X, tương tự như RTX 4080 không phải Super. Điều này cho thấy NVIDIA có cả SKU 20GB (AD102 / 320-bit) và SKU 16GB (AD103 / 256-bit) nhưng SKU nào được bán lẻ vẫn còn phải xem.

Tác giả: Hương Trang Hương Trang
2803
Samsung giới thiệu công nghệ bộ nhớ thế hệ mới tại Memory Tech Day 2023
Samsung giới thiệu công nghệ bộ nhớ thế hệ mới tại Memory Tech Day 2023

Samsung đã chính thức giới thiệu các công nghệ bộ nhớ thế hệ mới của mình bao gồm HBM3E, GDDR7, LPDDR5X CAMM2, và nhiều hơn nữa tại sự kiện Memory Tech Day 2023.

Tác giả: Tuấn Anh Tuấn Anh
2339
G.Skill giới thiệu bộ nhớ DDR5-8600 cho CPU Raptor Lake Refresh
G.Skill giới thiệu bộ nhớ DDR5-8600 cho CPU Raptor Lake Refresh

G.Skill đã ra mắt bộ nhớ Trident Z5 RGB DDR5-8400 C40 2x24GB mới dành cho chip Raptor Lake Refresh thế hệ thứ 14 mới nhất của Intel, cạnh tranh với các CPU tốt nhất. Công ty cũng đã nhân cơ hội này để giới thiệu biến thể DDR5-8600 sắp ra mắt.

Tác giả: Phương Linh Phương Linh
1876
NVIDIA Đẩy nhanh việc ra mắt GPU Blackwell B100 sang Quý 2 năm 2024 do nhu cầu AI tăng cao
NVIDIA Đẩy nhanh việc ra mắt GPU Blackwell B100 sang Quý 2 năm 2024 do nhu cầu AI tăng cao

Theo báo cáo từ hãng truyền thông Hàn Quốc MT.co.kr, NVIDIA được cho là đã dời kế hoạch ra mắt GPU Blackwell B100 thế hệ tiếp theo từ quý 4 sang quý 2 năm 2024 do nhu cầu AI tăng cao đột biến. Công ty cũng dự kiến sẽ sử dụng bộ nhớ DRAM HBM3e từ SK Hynix cho các chip mới nhất của mình.

Tác giả: Minh Quân Minh Quân
1714
TSMC được cấp phép tạm thời để cung cấp thiết bị cho nhà máy ở Trung Quốc
TSMC được cấp phép tạm thời để cung cấp thiết bị cho nhà máy ở Trung Quốc

TSMC, nhà sản xuất chip theo hợp đồng lớn nhất thế giới, dự kiến sẽ nhận được giấy phép tạm thời một năm từ chính phủ Hoa Kỳ để trang bị cho các nhà máy sản xuất chip (fab) của họ ở Trung Quốc với các công cụ sản xuất wafer fab được sản xuất tại Hoa Kỳ, theo thông báo của một bộ trưởng Đài Loan vào thứ Sáu và được Reuters đưa tin.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
1718
Geforce Now thêm 23 trò chơi mới trong tuần này, bao gồm Forza Motorsport, Star Trek: Infinite và Lords of the Fallen
Geforce Now thêm 23 trò chơi mới trong tuần này, bao gồm Forza Motorsport, Star Trek: Infinite và Lords of the Fallen

Geforce Now đã thêm 23 trò chơi mới trong tuần này, bao gồm Forza Motorsport, Star Trek: Infinite và Lords of the Fallen.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
2377
Samsung dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025
Samsung dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025

Samsung đã tiết lộ rằng họ dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025. Bộ nhớ mới sẽ có giao diện 2048-bit trên mỗi ngăn xếp, gấp đôi so với 1024-bit của HBM3.

Tác giả: Phương Anh Phương Anh
1710
Samsung Electronics công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025
Samsung Electronics công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025

Samsung Electronics đã công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025, nhằm đa dạng hóa dịch vụ sản xuất để đáp ứng nhu cầu của ngành. Sang Joon Hwang, giám đốc nhóm sản phẩm và công nghệ DRAM tại Samsung Electronics, đã tiết lộ sự phát triển này trong một bài đăng trên blog tại phòng tin tức của Samsung, cho biết rằng công ty có kế hoạch nâng cao bộ phận nhớ của mình.

Tác giả: Mai Ngọc Mai Ngọc
2444
Micron trình làng bộ nhớ DDR5 16Gb mới cho máy chủ và PC, tốc độ lên đến 7200 MT/s nhờ quy trình 1β
Micron trình làng bộ nhớ DDR5 16Gb mới cho máy chủ và PC, tốc độ lên đến 7200 MT/s nhờ quy trình 1β

Micron Technology vừa công bố đã mở rộng công nghệ quy trình nút 1β (1-beta) hàng đầu trong ngành với việc giới thiệu bộ nhớ DDR5 16Gb. Với chức năng trong hệ thống đã được chứng minh ở tốc độ lên đến 7.200 MT/s, DRAM DDR5 1β của Micron hiện đang được vận chuyển đến tất cả các khách hàng trung tâm dữ liệu và PC.

Tác giả: Tuấn Anh Tuấn Anh
1803
Samsung và SK Hynix được phép tiếp tục nhập khẩu thiết bị sản xuất chip Mỹ vào Trung Quốc mà không cần xin giấy phép
Samsung và SK Hynix được phép tiếp tục nhập khẩu thiết bị sản xuất chip Mỹ vào Trung Quốc mà không cần xin giấy phép

Samsung và SK Hynix, hai nhà sản xuất chip nhớ hàng đầu thế giới, đã được chính phủ Mỹ cấp phép tiếp tục nhập khẩu thiết bị sản xuất chip Mỹ vào Trung Quốc mà không cần xin giấy phép riêng. Đây là một động thái quan trọng, giúp đảm bảo rằng hai công ty có thể nâng cấp các nhà máy ở Trung Quốc của mình để áp dụng các công nghệ quy trình mới trong nhiều năm tới.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
1836
Giá bộ nhớ tăng cao do sản lượng giảm
Giá bộ nhớ tăng cao do sản lượng giảm

Ngành công nghiệp bộ nhớ đang chứng kiến sự tăng trưởng tích cực, đặc biệt là sau khi các nhà sản xuất hàng đầu như Micron, Samsung và SK Hynix cắt giảm sản lượng. Các công ty như Adata, Phison và Winbond đang ghi nhận doanh thu cải thiện trong tháng 9 và quý 3, với triển vọng tương lai总体积极.

Tác giả: Mai Ngọc Mai Ngọc
1757
Samsung tăng cường sản xuất DDR5 để đón đầu sự phục hồi của ngành DRAM
Samsung tăng cường sản xuất DDR5 để đón đầu sự phục hồi của ngành DRAM

Ngành DRAM đã trải qua một giai đoạn khó khăn trong thời gian gần đây, đặc biệt là khi nhu cầu tiêu dùng ở mức thấp nhất. Ngoài ra, quá trình chuyển đổi sang chuẩn DDR5 mới hơn diễn ra chậm chạp trên thị trường PC, chủ yếu là do lo ngại về chi phí. Tuy nhiên, các dấu hiệu hiện tại cho thấy tình hình đang dần cải thiện.

Tác giả: Mai Ngọc Mai Ngọc
1716
NVIDIA GeForce RTX 50
NVIDIA GeForce RTX 50 "Blackwell" GPU: Những tin đồn đầu tiên

NVIDIA GeForce RTX 50 "Blackwell" là thế hệ GPU tiếp theo của NVIDIA, dự kiến sẽ được phát hành vào năm 2025. Mới đây, những tin đồn đầu tiên về dòng GPU này đã bắt đầu xuất hiện từ các nguồn đáng tin cậy như Kopite7kimi.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
2244
Micron ra mắt bộ nhớ HBM3 Gen2 thế hệ tiếp theo, NVIDIA khen ngợi hiệu năng và hiệu suất
Micron ra mắt bộ nhớ HBM3 Gen2 thế hệ tiếp theo, NVIDIA khen ngợi hiệu năng và hiệu suất

Micron đã bắt đầu gửi mẫu bộ nhớ HBM3 Gen2 thế hệ tiếp theo của mình cho khách hàng, bao gồm NVIDIA, những người đã khen ngợi hiệu năng và hiệu suất của nó. Trong cuộc gọi thu nhập vào thứ Tư, Micron dự đoán khoản lỗ "lớn hơn" trong quý tới do nhu cầu giảm từ thị trường bộ nhớ tiêu dùng. Tuy nhiên, Micron cũng tiết lộ rằng công ty đã hợp tác chặt chẽ với NVIDIA và bộ nhớ HBM3 Gen2 băng thông cao của họ dự kiến sẽ ra mắt trong các GPU AI và HPC sắp tới của Team Green trong nửa đầu năm 2024.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
2423
Trung Quốc sắp có máy quét lithography nội địa có thể sản xuất chip 28nm
Trung Quốc sắp có máy quét lithography nội địa có thể sản xuất chip 28nm

Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE), nhà sản xuất máy quét lithography thành công nhất của Trung Quốc, đã tái khẳng định kế hoạch trong tuần này sẽ giao máy quét đầu tiên có khả năng sản xuất chip trên quy trình sản xuất 28nm vào cuối năm nay, theo báo cáo của TechWire Asia, dẫn nguồn từ báo Securities Daily, trích dẫn một nguồn tin giấu tên. Đối với SMEE, máy quét SSA/800-10W của họ là một bước đột phá vì máy quét tiên tiến nhất mà công ty có hiện nay chỉ có khả năng sản xuất chip trên quy trình sản xuất 90nm trở lên. Một công cụ lithography có khả năng sản xuất chip 28nm sẽ cho phép các nhà sản xuất chip Trung Quốc dựa vào thiết bị lithography nội địa cho một loạt các công nghệ tiên tiến.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
1708
UltraRAM - Công nghệ bộ nhớ mới đầy tiềm năng của QuInAs Technology
UltraRAM - Công nghệ bộ nhớ mới đầy tiềm năng của QuInAs Technology

UltraRAM là một công nghệ bộ nhớ mới đang được phát triển bởi QuInAs Technology, một công ty được tách ra từ Khoa Vật lý của Đại học Lancaster (Anh). UltraRAM được thiết kế để kết hợp các ưu điểm của bộ nhớ flash (không biến động) và bộ nhớ DRAM (tốc độ cao).

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
2301
Samsung giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên
Samsung giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên

Samsung vừa giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên trong ngành. IC bộ nhớ này sẽ cho phép công ty đơn giản hóa đáng kể việc sản xuất các mô-đun bộ nhớ dung lượng cao và xây dựng RDIMM 1 TB chưa từng có cho máy chủ.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
2341
DRAM 3D: Giải pháp cho vấn đề quy mô DRAM
DRAM 3D: Giải pháp cho vấn đề quy mô DRAM

Nếu có một sản phẩm công nghệ mà việc thu nhỏ không hoạt động tốt, thì đó là DRAM. Có một số lý do cho điều này, quan trọng nhất là thiết kế thực tế của các tế bào DRAM và cách nó liên quan đến quá trình sản xuất. Nhưng theo Lam Research, kết quả cuối cùng của những khó khăn về quy mô này có nghĩa là các nhà nghiên cứu trong lĩnh vực DRAM có thể hết cách để tăng mật độ quy mô của DRAM sớm nhất là sau năm năm nữa.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
1667
Intel PUMA: Chip 8 lõi 528 luồng với kết nối quang học
Intel PUMA: Chip 8 lõi 528 luồng với kết nối quang học

Intel ra mắt mô-đun quang học mesh-to-mesh đầu tiên tại hội nghị chip Hot Chips 2023, cho thấy sự tiến bộ của họ trong tương lai của các kết nối chip-to-chip quang học cũng được các công ty như Nvidia và Ayar Labs ủng hộ. Tuy nhiên, chip 8 lõi 528 luồng mà Intel sử dụng cho bài trình diễn đã chiếm spotlight do kiến ​​trúc độc đáo của nó với 66 luồng mỗi lõi để cho phép truyền dữ liệu lên đến 1TB/s. Đáng ngạc nhiên, chip chỉ tiêu thụ 75W điện, với ~60% điện năng được sử dụng bởi các kết nối quang học, nhưng thiết kế cuối cùng có thể cho phép các hệ thống với hai triệu lõi được kết nối trực tiếp với độ trễ dưới 400ns.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
1956
Lệnh trừng phạt Mỹ thúc đẩy Trung Quốc phát triển bộ nhớ HBM
Lệnh trừng phạt Mỹ thúc đẩy Trung Quốc phát triển bộ nhớ HBM

Trung Quốc đang nỗ lực phát triển bộ nhớ có băng thông cao (giống HBM) cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo và điện toán hiệu suất cao, theo báo cáo của South China Morning Post. ChangXin Memory Technologies (CXMT) được cho là đi đầu trong sáng kiến này.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
1566
AI bùng nổ: NVIDIA và Meta mở rộng trung tâm dữ liệu, yêu cầu SK hynix cung cấp thêm DRAM
AI bùng nổ: NVIDIA và Meta mở rộng trung tâm dữ liệu, yêu cầu SK hynix cung cấp thêm DRAM

NVIDIA và Meta có kế hoạch tăng tốc phát triển GenAI thông qua việc mở rộng nhanh chóng trung tâm dữ liệu, yêu cầu SK hynix cung cấp thêm DRAM

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
1547
Chọn trang

NewSLiver

[email protected]

Hình ảnh

© newsliver.com. All Rights Reserved.

Tìm kiếm: DRAM

Micron Cách Mạng Bộ Nhớ HBM: HBM4e Tùy Chỉnh Đột Phá Công Nghệ!
Micron Cách Mạng Bộ Nhớ HBM: HBM4e Tùy Chỉnh Đột Phá Công Nghệ!

Micron vừa công bố thông tin cập nhật cực kỳ ấn tượng về chương trình HBM4 và HBM4e của mình, hứa hẹn một cuộc cách mạng trong lĩnh vực bộ nhớ. HBM4 thế hệ tiếp theo, với giao diện 2048-bit, dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào năm 2026. Nhưng điểm nhấn thực sự nằm ở HBM4e!

Tác giả: Tuấn Anh Tuấn Anh
344
Mỹ Thắt Chặt Kiểm Soát Xuất Khẩu Công Nghệ Bán Dẫn, Nhắm Trúng Trung Quốc Nhưng Ít Nghiêm Khắc Hơn Dự Kiến
Mỹ Thắt Chặt Kiểm Soát Xuất Khẩu Công Nghệ Bán Dẫn, Nhắm Trúng Trung Quốc Nhưng Ít Nghiêm Khắc Hơn Dự Kiến

Chính quyền Biden sắp ban hành các quy định mới nhằm kiềm chế sự phát triển công nghệ bán dẫn của Trung Quốc. Tuy nhiên, các biện pháp trừng phạt này sẽ nhẹ nhàng hơn so với dự đoán ban đầu.

Tác giả: Phong Lâm Phong Lâm
747
Nhà sản xuất bộ nhớ Trung Quốc Changxin Memory Technologies giới thiệu bộ nhớ LPDDR5 đầu tiên và hai sản phẩm mới sử dụng công nghệ này.
Nhà sản xuất bộ nhớ Trung Quốc Changxin Memory Technologies giới thiệu bộ nhớ LPDDR5 đầu tiên và hai sản phẩm mới sử dụng công nghệ này.

Changxin Memory Technologies (CXMT), một nhà sản xuất thiết bị tích hợp bán dẫn của Trung Quốc, đã giới thiệu các thiết bị bộ nhớ LPDDR5 đầu tiên của mình và hai sản phẩm mới sử dụng công nghệ này. Các DRAM mới là IC bộ nhớ LPDDR5 đầu tiên được sản xuất bởi một công ty Trung Quốc. Chúng nhằm vào các điện thoại thông minh giá rẻ và các thiết bị công suất thấp khác, một bước tiến quan trọng khi đất nước tìm cách mở rộng khả năng sản xuất chip của mình.

Tác giả: Hương Trang Hương Trang
3723
SK hynix Phát Triển Bộ Nhớ DRAM Mới Với Tốc Độ Cao Và Chi Phí Thấp
SK hynix Phát Triển Bộ Nhớ DRAM Mới Với Tốc Độ Cao Và Chi Phí Thấp

SK hynix, một trong những nhà sản xuất chip nhớ lớn nhất thế giới, đang phát triển một loại bộ nhớ DRAM mới kết hợp giữa băng thông rộng và chi phí thấp hơn so với các giải pháp HBM hiện tại. Loại bộ nhớ mới này sẽ sử dụng công nghệ đóng gói 2.5D fan-out và có thể được sử dụng cho các ứng dụng đồ họa hoặc di động.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
3625
SK hynix chiếm lĩnh 35% thị phần DRAM nhờ nhu cầu bùng nổ của AI
SK hynix chiếm lĩnh 35% thị phần DRAM nhờ nhu cầu bùng nổ của AI

Ngành công nghiệp DRAM đang chứng kiến sự tăng trưởng mạnh mẽ nhờ nhu cầu ngày càng tăng về phần cứng AI, vốn tiêu tốn một lượng bộ nhớ tương đối lớn. SK hynix dường như đã đạt được thành công đáng kể trong môi trường mới này, đạt mức cao nhất mọi thời đại về thị phần.

Tác giả: Mai Ngọc Mai Ngọc
2887
Silicon Motion SM2508: Bộ điều khiển SSD PCIe 5.0 mạnh mẽ và tiết kiệm điện nhất từ trước đến nay
Silicon Motion SM2508: Bộ điều khiển SSD PCIe 5.0 mạnh mẽ và tiết kiệm điện nhất từ trước đến nay

Silicon Motion đã chính thức xác nhận bộ điều khiển SSD PCIe 5.0 sắp ra mắt sử dụng quy trình sản xuất EUV 6nm của TSMC, mang lại hiệu suất cao và tiết kiệm điện năng đáng kể so với các đối thủ cạnh tranh như Phison E26 và Innogrit IG5666.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
2398
SK Hynix bắt đầu sản xuất LPPDR5T DRAM cho điện thoại thông minh, hứa hẹn tăng hiệu suất đáng kể
SK Hynix bắt đầu sản xuất LPPDR5T DRAM cho điện thoại thông minh, hứa hẹn tăng hiệu suất đáng kể

SK Hynix, một trong những nhà sản xuất chip nhớ DRAM hàng đầu thế giới, vừa thông báo bắt đầu sản xuất hàng loạt chip DRAM LPPDR5T thế hệ mới dành cho điện thoại thông minh. Chip nhớ mới này hứa hẹn mang lại hiệu suất đáng kể so với các thế hệ trước, với tốc độ truyền dữ liệu lên tới 9.600 MT/s và băng thông tối đa đạt 76,8 GB/s.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
3735
SK hynix tung ra DRAM LPDDR5T siêu tốc độ, mở ra kỷ nguyên mới cho hiệu suất điện thoại thông minh
SK hynix tung ra DRAM LPDDR5T siêu tốc độ, mở ra kỷ nguyên mới cho hiệu suất điện thoại thông minh

SK hynix, một trong những nhà cung cấp chất bán dẫn và DRAM hàng đầu thế giới, vừa chính thức giới thiệu LPDDR5T, thế hệ DRAM di động mới nhất với tốc độ truyền dữ liệu lên tới 9.6 gigabits mỗi giây trên mỗi chân, vượt trội so với 8.5 gigabits mỗi giây trên mỗi chân của LPDDR5X. Điều này đánh dấu một bước tiến vượt bậc trong hiệu suất bộ nhớ điện thoại thông minh, cho phép các thiết bị xử lý dữ liệu nhanh hơn, mượt mà hơn và hỗ trợ các ứng dụng AI đòi hỏi khắt khe hơn.

Tác giả: Huyền Ngọc Huyền Ngọc
2507
Bộ trưởng Thương mại Trung Quốc gặp gỡ CEO Micron, thể hiện sự ủng hộ mở rộng hoạt động tại Trung Quốc
Bộ trưởng Thương mại Trung Quốc gặp gỡ CEO Micron, thể hiện sự ủng hộ mở rộng hoạt động tại Trung Quốc

Bộ trưởng Thương mại Trung Quốc Vương Văn Tháo đã có cuộc gặp với Sanjay Mehrotra, Giám đốc điều hành của Micron, bày tỏ sự ủng hộ đối với kế hoạch mở rộng hoạt động của công ty tại Trung Quốc. Tuy nhiên, hiện chưa có thông tin liệu Trung Quốc có dỡ bỏ lệnh cấm đối với các thiết bị nhớ của Micron được sử dụng cho PC của các cơ quan do nhà nước kiểm soát và cơ sở hạ tầng quan trọng hay không.

Tác giả: Linh Hương Linh Hương
2572
Changxin Xinqiao Memory Technologies huy động được 39 tỷ nhân dân tệ (5,4 tỷ USD) để xây dựng nhà máy sản xuất DRAM
Changxin Xinqiao Memory Technologies huy động được 39 tỷ nhân dân tệ (5,4 tỷ USD) để xây dựng nhà máy sản xuất DRAM

Tuần trước, chúng tôi đã đưa tin Changxin Xinqiao đã nhận được 14,56 tỷ nhân dân tệ (khoảng 1,99 tỷ USD) từ Quỹ đầu tư ngành công nghiệp mạch tích hợp Trung Quốc (Big Fund). Hôm nay, Bloomberg cho biết công ty này thực sự đã huy động được nhiều tiền hơn đáng kể, cho thấy chính phủ Trung Quốc tiếp tục đầu tư vào sản xuất bộ nhớ thương mại, bất chấp các biện pháp trừng phạt của Mỹ đối với ngành công nghiệp bán dẫn của nước này.

Tác giả: Linh Hương Linh Hương
2276
Quỹ đầu tư ngành công nghiệp mạch tích hợp Trung Quốc (Big Fund) đầu tư 1,99 tỷ USD vào nhà sản xuất DRAM mới của Trung Quốc
Quỹ đầu tư ngành công nghiệp mạch tích hợp Trung Quốc (Big Fund) đầu tư 1,99 tỷ USD vào nhà sản xuất DRAM mới của Trung Quốc

Quỹ đầu tư ngành công nghiệp mạch tích hợp Trung Quốc (Big Fund) đã đầu tư khoảng 14,56 tỷ yuan (tương đương 1,99 tỷ USD) vào Changxin Xinqiao, một nhà sản xuất DRAM mới của Trung Quốc, theo Reuters. Công ty được quản lý bởi Zhao Lun, người cũng là tổng giám đốc của Changxin Memory Technologies (CXMT), vì vậy hai công ty có thể có liên kết với nhau.

Tác giả: Hương Trang Hương Trang
2327
Thông số kỹ thuật của NVIDIA GeForce RTX 4080 Super, 4070 Ti Super và 4070 Super được tiết lộ
Thông số kỹ thuật của NVIDIA GeForce RTX 4080 Super, 4070 Ti Super và 4070 Super được tiết lộ

Theo leaker Kopite7kimi, NVIDIA GeForce RTX 4080 Super sẽ sử dụng GPU AD103-400 với đầy đủ 10240 nhân CUDA, 320 TMU, 112 ROP và 64MB bộ nhớ cache L2. Chip sẽ sử dụng giao diện bus 256-bit, có thể đi kèm với bộ nhớ 16GB GDDR6X, tương tự như RTX 4080 không phải Super. Điều này cho thấy NVIDIA có cả SKU 20GB (AD102 / 320-bit) và SKU 16GB (AD103 / 256-bit) nhưng SKU nào được bán lẻ vẫn còn phải xem.

Tác giả: Hương Trang Hương Trang
2803
Samsung giới thiệu công nghệ bộ nhớ thế hệ mới tại Memory Tech Day 2023
Samsung giới thiệu công nghệ bộ nhớ thế hệ mới tại Memory Tech Day 2023

Samsung đã chính thức giới thiệu các công nghệ bộ nhớ thế hệ mới của mình bao gồm HBM3E, GDDR7, LPDDR5X CAMM2, và nhiều hơn nữa tại sự kiện Memory Tech Day 2023.

Tác giả: Tuấn Anh Tuấn Anh
2339
G.Skill giới thiệu bộ nhớ DDR5-8600 cho CPU Raptor Lake Refresh
G.Skill giới thiệu bộ nhớ DDR5-8600 cho CPU Raptor Lake Refresh

G.Skill đã ra mắt bộ nhớ Trident Z5 RGB DDR5-8400 C40 2x24GB mới dành cho chip Raptor Lake Refresh thế hệ thứ 14 mới nhất của Intel, cạnh tranh với các CPU tốt nhất. Công ty cũng đã nhân cơ hội này để giới thiệu biến thể DDR5-8600 sắp ra mắt.

Tác giả: Phương Linh Phương Linh
1876
NVIDIA Đẩy nhanh việc ra mắt GPU Blackwell B100 sang Quý 2 năm 2024 do nhu cầu AI tăng cao
NVIDIA Đẩy nhanh việc ra mắt GPU Blackwell B100 sang Quý 2 năm 2024 do nhu cầu AI tăng cao

Theo báo cáo từ hãng truyền thông Hàn Quốc MT.co.kr, NVIDIA được cho là đã dời kế hoạch ra mắt GPU Blackwell B100 thế hệ tiếp theo từ quý 4 sang quý 2 năm 2024 do nhu cầu AI tăng cao đột biến. Công ty cũng dự kiến sẽ sử dụng bộ nhớ DRAM HBM3e từ SK Hynix cho các chip mới nhất của mình.

Tác giả: Minh Quân Minh Quân
1714
TSMC được cấp phép tạm thời để cung cấp thiết bị cho nhà máy ở Trung Quốc
TSMC được cấp phép tạm thời để cung cấp thiết bị cho nhà máy ở Trung Quốc

TSMC, nhà sản xuất chip theo hợp đồng lớn nhất thế giới, dự kiến sẽ nhận được giấy phép tạm thời một năm từ chính phủ Hoa Kỳ để trang bị cho các nhà máy sản xuất chip (fab) của họ ở Trung Quốc với các công cụ sản xuất wafer fab được sản xuất tại Hoa Kỳ, theo thông báo của một bộ trưởng Đài Loan vào thứ Sáu và được Reuters đưa tin.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
1718
Geforce Now thêm 23 trò chơi mới trong tuần này, bao gồm Forza Motorsport, Star Trek: Infinite và Lords of the Fallen
Geforce Now thêm 23 trò chơi mới trong tuần này, bao gồm Forza Motorsport, Star Trek: Infinite và Lords of the Fallen

Geforce Now đã thêm 23 trò chơi mới trong tuần này, bao gồm Forza Motorsport, Star Trek: Infinite và Lords of the Fallen.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
2377
Samsung dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025
Samsung dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025

Samsung đã tiết lộ rằng họ dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025. Bộ nhớ mới sẽ có giao diện 2048-bit trên mỗi ngăn xếp, gấp đôi so với 1024-bit của HBM3.

Tác giả: Phương Anh Phương Anh
1710
Samsung Electronics công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025
Samsung Electronics công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025

Samsung Electronics đã công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025, nhằm đa dạng hóa dịch vụ sản xuất để đáp ứng nhu cầu của ngành. Sang Joon Hwang, giám đốc nhóm sản phẩm và công nghệ DRAM tại Samsung Electronics, đã tiết lộ sự phát triển này trong một bài đăng trên blog tại phòng tin tức của Samsung, cho biết rằng công ty có kế hoạch nâng cao bộ phận nhớ của mình.

Tác giả: Mai Ngọc Mai Ngọc
2444
Micron trình làng bộ nhớ DDR5 16Gb mới cho máy chủ và PC, tốc độ lên đến 7200 MT/s nhờ quy trình 1β
Micron trình làng bộ nhớ DDR5 16Gb mới cho máy chủ và PC, tốc độ lên đến 7200 MT/s nhờ quy trình 1β

Micron Technology vừa công bố đã mở rộng công nghệ quy trình nút 1β (1-beta) hàng đầu trong ngành với việc giới thiệu bộ nhớ DDR5 16Gb. Với chức năng trong hệ thống đã được chứng minh ở tốc độ lên đến 7.200 MT/s, DRAM DDR5 1β của Micron hiện đang được vận chuyển đến tất cả các khách hàng trung tâm dữ liệu và PC.

Tác giả: Tuấn Anh Tuấn Anh
1803
Samsung và SK Hynix được phép tiếp tục nhập khẩu thiết bị sản xuất chip Mỹ vào Trung Quốc mà không cần xin giấy phép
Samsung và SK Hynix được phép tiếp tục nhập khẩu thiết bị sản xuất chip Mỹ vào Trung Quốc mà không cần xin giấy phép

Samsung và SK Hynix, hai nhà sản xuất chip nhớ hàng đầu thế giới, đã được chính phủ Mỹ cấp phép tiếp tục nhập khẩu thiết bị sản xuất chip Mỹ vào Trung Quốc mà không cần xin giấy phép riêng. Đây là một động thái quan trọng, giúp đảm bảo rằng hai công ty có thể nâng cấp các nhà máy ở Trung Quốc của mình để áp dụng các công nghệ quy trình mới trong nhiều năm tới.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
1836
Giá bộ nhớ tăng cao do sản lượng giảm
Giá bộ nhớ tăng cao do sản lượng giảm

Ngành công nghiệp bộ nhớ đang chứng kiến sự tăng trưởng tích cực, đặc biệt là sau khi các nhà sản xuất hàng đầu như Micron, Samsung và SK Hynix cắt giảm sản lượng. Các công ty như Adata, Phison và Winbond đang ghi nhận doanh thu cải thiện trong tháng 9 và quý 3, với triển vọng tương lai总体积极.

Tác giả: Mai Ngọc Mai Ngọc
1757
Samsung tăng cường sản xuất DDR5 để đón đầu sự phục hồi của ngành DRAM
Samsung tăng cường sản xuất DDR5 để đón đầu sự phục hồi của ngành DRAM

Ngành DRAM đã trải qua một giai đoạn khó khăn trong thời gian gần đây, đặc biệt là khi nhu cầu tiêu dùng ở mức thấp nhất. Ngoài ra, quá trình chuyển đổi sang chuẩn DDR5 mới hơn diễn ra chậm chạp trên thị trường PC, chủ yếu là do lo ngại về chi phí. Tuy nhiên, các dấu hiệu hiện tại cho thấy tình hình đang dần cải thiện.

Tác giả: Mai Ngọc Mai Ngọc
1716
NVIDIA GeForce RTX 50
NVIDIA GeForce RTX 50 "Blackwell" GPU: Những tin đồn đầu tiên

NVIDIA GeForce RTX 50 "Blackwell" là thế hệ GPU tiếp theo của NVIDIA, dự kiến sẽ được phát hành vào năm 2025. Mới đây, những tin đồn đầu tiên về dòng GPU này đã bắt đầu xuất hiện từ các nguồn đáng tin cậy như Kopite7kimi.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
2244
Micron ra mắt bộ nhớ HBM3 Gen2 thế hệ tiếp theo, NVIDIA khen ngợi hiệu năng và hiệu suất
Micron ra mắt bộ nhớ HBM3 Gen2 thế hệ tiếp theo, NVIDIA khen ngợi hiệu năng và hiệu suất

Micron đã bắt đầu gửi mẫu bộ nhớ HBM3 Gen2 thế hệ tiếp theo của mình cho khách hàng, bao gồm NVIDIA, những người đã khen ngợi hiệu năng và hiệu suất của nó. Trong cuộc gọi thu nhập vào thứ Tư, Micron dự đoán khoản lỗ "lớn hơn" trong quý tới do nhu cầu giảm từ thị trường bộ nhớ tiêu dùng. Tuy nhiên, Micron cũng tiết lộ rằng công ty đã hợp tác chặt chẽ với NVIDIA và bộ nhớ HBM3 Gen2 băng thông cao của họ dự kiến sẽ ra mắt trong các GPU AI và HPC sắp tới của Team Green trong nửa đầu năm 2024.

Tác giả: Diễm Phương Diễm Phương
2423
Trung Quốc sắp có máy quét lithography nội địa có thể sản xuất chip 28nm
Trung Quốc sắp có máy quét lithography nội địa có thể sản xuất chip 28nm

Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE), nhà sản xuất máy quét lithography thành công nhất của Trung Quốc, đã tái khẳng định kế hoạch trong tuần này sẽ giao máy quét đầu tiên có khả năng sản xuất chip trên quy trình sản xuất 28nm vào cuối năm nay, theo báo cáo của TechWire Asia, dẫn nguồn từ báo Securities Daily, trích dẫn một nguồn tin giấu tên. Đối với SMEE, máy quét SSA/800-10W của họ là một bước đột phá vì máy quét tiên tiến nhất mà công ty có hiện nay chỉ có khả năng sản xuất chip trên quy trình sản xuất 90nm trở lên. Một công cụ lithography có khả năng sản xuất chip 28nm sẽ cho phép các nhà sản xuất chip Trung Quốc dựa vào thiết bị lithography nội địa cho một loạt các công nghệ tiên tiến.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
1708
UltraRAM - Công nghệ bộ nhớ mới đầy tiềm năng của QuInAs Technology
UltraRAM - Công nghệ bộ nhớ mới đầy tiềm năng của QuInAs Technology

UltraRAM là một công nghệ bộ nhớ mới đang được phát triển bởi QuInAs Technology, một công ty được tách ra từ Khoa Vật lý của Đại học Lancaster (Anh). UltraRAM được thiết kế để kết hợp các ưu điểm của bộ nhớ flash (không biến động) và bộ nhớ DRAM (tốc độ cao).

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
2301
Samsung giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên
Samsung giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên

Samsung vừa giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên trong ngành. IC bộ nhớ này sẽ cho phép công ty đơn giản hóa đáng kể việc sản xuất các mô-đun bộ nhớ dung lượng cao và xây dựng RDIMM 1 TB chưa từng có cho máy chủ.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
2341
DRAM 3D: Giải pháp cho vấn đề quy mô DRAM
DRAM 3D: Giải pháp cho vấn đề quy mô DRAM

Nếu có một sản phẩm công nghệ mà việc thu nhỏ không hoạt động tốt, thì đó là DRAM. Có một số lý do cho điều này, quan trọng nhất là thiết kế thực tế của các tế bào DRAM và cách nó liên quan đến quá trình sản xuất. Nhưng theo Lam Research, kết quả cuối cùng của những khó khăn về quy mô này có nghĩa là các nhà nghiên cứu trong lĩnh vực DRAM có thể hết cách để tăng mật độ quy mô của DRAM sớm nhất là sau năm năm nữa.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
1667
Intel PUMA: Chip 8 lõi 528 luồng với kết nối quang học
Intel PUMA: Chip 8 lõi 528 luồng với kết nối quang học

Intel ra mắt mô-đun quang học mesh-to-mesh đầu tiên tại hội nghị chip Hot Chips 2023, cho thấy sự tiến bộ của họ trong tương lai của các kết nối chip-to-chip quang học cũng được các công ty như Nvidia và Ayar Labs ủng hộ. Tuy nhiên, chip 8 lõi 528 luồng mà Intel sử dụng cho bài trình diễn đã chiếm spotlight do kiến ​​trúc độc đáo của nó với 66 luồng mỗi lõi để cho phép truyền dữ liệu lên đến 1TB/s. Đáng ngạc nhiên, chip chỉ tiêu thụ 75W điện, với ~60% điện năng được sử dụng bởi các kết nối quang học, nhưng thiết kế cuối cùng có thể cho phép các hệ thống với hai triệu lõi được kết nối trực tiếp với độ trễ dưới 400ns.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
1956
Lệnh trừng phạt Mỹ thúc đẩy Trung Quốc phát triển bộ nhớ HBM
Lệnh trừng phạt Mỹ thúc đẩy Trung Quốc phát triển bộ nhớ HBM

Trung Quốc đang nỗ lực phát triển bộ nhớ có băng thông cao (giống HBM) cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo và điện toán hiệu suất cao, theo báo cáo của South China Morning Post. ChangXin Memory Technologies (CXMT) được cho là đi đầu trong sáng kiến này.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
1566
AI bùng nổ: NVIDIA và Meta mở rộng trung tâm dữ liệu, yêu cầu SK hynix cung cấp thêm DRAM
AI bùng nổ: NVIDIA và Meta mở rộng trung tâm dữ liệu, yêu cầu SK hynix cung cấp thêm DRAM

NVIDIA và Meta có kế hoạch tăng tốc phát triển GenAI thông qua việc mở rộng nhanh chóng trung tâm dữ liệu, yêu cầu SK hynix cung cấp thêm DRAM

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
1547
Chọn trang